霍爾感測器原理 霍爾感測器原理介紹

1、半導體薄片置於磁感應強度為B的磁場中，磁場方向垂直於薄片。當有電流I流過薄片時，在垂直於電流和磁場的方向上將產生電動勢eh，這種現象稱為霍爾效應，該電動勢稱為霍爾電勢，上述半導體薄片稱為霍爾元件。

2、原理簡述如下：激勵電流I從a、b端流入，磁場B由正上方作用於薄片，這時電子e的運動方向與電流方向相反，將受到洛侖茲力FL的作用，向內側偏移，該側形成電子的堆積，從而在薄片的c、d方向產生電場E。電子積累得越多，FE也越大，在半導體薄片c、d方向的端面之間建立的電動勢EH就是霍爾電勢。

3、由實驗可知，流入激勵電流端的電流I越大、作用在薄片上的磁場強度B越強，霍爾電勢也就越高。磁場方向相反，霍爾電勢的方向也隨之改變，因此霍爾感測器能用於測量靜態磁場或交變磁場。